Transistor IRF540N - MOSFET de Canal N TO-220
Transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), muito indicado para aplicações PWM ou para circuitos que necessitem de uma alta velocidade de comutação.
Encapsulado no formato TO-220 universalmente preferido para todas as aplicações comerciais-industriais em níveis de dissipação de energia de aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo da embalagem do TO-220 contribuem para sua ampla aceitação em toda a indústria.
Especificações Técnicas:
Transistor IRF540N - MOSFET de Canal N TO-220 - Datasheet
Modelo: IRF540N
Encapsulamento: TO-220 3 Pinos
Tensão VDS Drain-source: 100V
Corrente de drenagem: 33A
Dissipação de potência total: 120W
Temperatura da junção: 175 Graus Celsius
Temperatura de Operação: -55 a +175 Graus Celsius
3 Terminais
Cor: Preto
Tamanho: 3mm Largura x 3mm Profundidade x 3mm Altura
Peso: 2g
Conteúdo da Embalagem:
01 Transistor IRF540N - MOSFET de Canal N TO-220
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